3.2铜底板为AlNDBC基板提供了联结支撑和导热通道，是整个模块结构的基础。但由于铜底板的热线性膨胀系数为16.7×10-7/℃，而AlNDBC板为5.1×10-6/℃，相差较大，当过大面积的DBC板与铜底板间相互高温焊接后，将产生巨大应力，为了减少此应力，将AlNDBC分成DBC1和DBC2两块，并用CB7和CB8铜桥相连。同时，在焊接前对铜底板进行一定弧度的预弯，以便成品模块在压装到散热器上时，使两者之间获得充分的接触，从而降低模块的接触热阻，保证模块的出力。当然，采用热线性膨胀系数很接近AlNDBC板且可焊性很高的AlSiC底板替代铜底板，不仅将提高焊接疲劳寿命，还能很好地解决应力问题。
3.3模块内部的电气联接为：一是采用DBC基板上印刷电路图形进行各元器件和各种电极引出线之间电气联接，二是所有电力半导体器件的芯片、主电极、控制电极和辅助电极直接焊在DBC基板上所刻蚀出的规定图形位置上，其余就是采用铝丝超声键合连接。但因铝丝键合点的牢固与否，往往在模块使用过程中因温度变化而引起脱落，造成芯片损坏。为了避免这一现象的发生，一方面采取了按铝丝直径大小调整好键合功率、键合压力和键合时间之间的最佳匹配，采用杂质含量少的高质量铝丝和加强DBC板清洗工艺等措施外，还采用了功率器件芯片用上钼片过渡方法，即钼片一面蒸发上一层铝，而另一面与功率器件芯片相焊，如图6所示。在这种结构下，由于硅与钼的热线性膨胀系数很接近，几乎没有失配，由此因热膨胀产生的应力只在钼与铝之间的界面发生，因而大大降低键合处的应力，提高了铝丝与功率器件芯片和DBC板之间的键合力和键合点的牢固性，有利于模块的稳定可靠工作。
4模块的结构及制作工艺技术
4.1模块的结构
4.1.1塑料外壳及支撑板是模块封装的关键结构件，它主要起密封及主电极的支撑作用。本专用模块的外壳采用绝缘强度高、热变强度高且加有40%玻璃纤维的PPS注塑型材料，它能够解决与铜底板和主电极之间的热胀冷缩的匹配问题，它与环氧树脂板结合能实现上下壳体的结构联结，并为主电极的引出线提供支撑。
4.1.2模块结构采用三重保护技术，即模块内所使用的各种电力半导体芯片，均采用玻璃钝化保护的方形芯片，在模块制作过程中，在玻璃钝化层上再涂覆RTV硅橡胶，灌封绝缘性能好、粘接力强、有弹性的硅凝胶以及环氧树脂板，这种多层保护能达到较高强度和气闭密封，极大地满足了所有硅芯片的绝缘、防潮和导热的要求，使电力半导体芯片性能稳定可靠。
4.1.3AlNDBC基板是在高温和氧气氛下将铜箔和AlN陶瓷片双面键合而成，它具有高的绝缘强度、优良的热导性、稳定的机械性能、良好的热循环稳定性和优异的可焊性。它的热膨胀系数(AlNDBC板为5.1×10-6/℃)很接近硅(4.2×10-6/℃)，因而可与硅芯片直接焊接，从而省略了过渡层钼片，它可像PCB和MIS板一样，刻蚀出各种图形，作为元器件与电极之间的连线、硅芯片焊接衬底以及主电极和控制极的焊接支架，它与作为DBC板的联结支撑和导热通道的铜底板结合，已成为模块结构的基础。本专用模块采用淄博市临淄银河高技术开发有限公司生产的AlNDBC基板，获得优异的结果〔2〕。
4.1.4当专用模块使用在VVVF变频装置上时，先在A(4)和+5接线柱上连接充电电阻，而在Br(9)和+5上连接制动电阻，它们的数值将根据VVVF变频器的功率不同而不同。
5专用模块的主要工艺技术及其技术参数
5.1工艺技术
焊接工艺是制作电力半导体模块的核心技术，目前存在着热板焊接工艺、回流(隧道炉)焊接工艺、真空焊接工艺和真空加气体保护焊接工艺，它们各有优缺点，在选择采用何种焊接工艺时，必须根据所采用的电力半导体芯片的情况、工厂的实际装备条件以及综合技术经济指标等来决定。本公司采用了二次焊接法来完成专用模块的制作。1一次焊接是采用真空加气体焊接的方法，用高于300℃的焊接温度，把各种电力半导体芯片与AlNDBC基板焊在一起，采用升温时通高纯氮气(N2)，恒温时通高纯氢气(H2)的方法保护焊接件不被氧化，并去除氧化物，使焊接面具有良好浸润性，然后用真空技术排除焊接面的气泡，使焊接面具有良好的欧姆接触，从而降低模块的热阻。2采用360C自动键合机，将电力半导体器件芯片用铝丝超声键合在引出主电极、控制电极和辅助电极的AlNDBC板的图形内，如图5红线所示。3二次焊接是在通惰性气体的热板炉内进行，其焊接温度应低于一次焊接温度，约为200℃左右，这是把一次焊接成的AlNDBC板半成品焊到铜底板上，并把各种主电极、控制电机
