核心器件ＩＣ１是TOP221，三端高压开关集成电路，其内部集成有电压型脉宽调制振荡器、基准电压源、误差放大器、高压启动限流电阻以及过热等保护电路。此外在芯片上还集成有耐压７００Ｖ的Ｎ沟道功率场效应晶体管，其工作频率可达１００ｋＨｚ，驱动功耗小，最大占空比达７０％，效率可达９０％。所以，该开关电源外围元器件少，可靠性高。ＩＣ１的漏极Ｄ接高压，源极Ｓ接零电位，控制极Ｃ与零电位之间接启动电容Ｃ３。通常该电容值为４７μＦ。控制极Ｃ的输入电流大小将改变脉宽调制的占空比，当输入电流增加时占空比将减小。
控制电流来自高频开关变压器Ｔ的一个二次绕组３、４，Ｔ的铁氧体磁心体积仅１９ｍｍ×１７ｍｍ×５ｍｍ，ＶＤ５抑制反峰尖脉冲。ＩＣ１的外围电路的工作过程很简单：当输出电压升高时，ＩＣ１的Ｃ极输入电流也会增加，输出脉冲占空比将减小，从而使输出电压降低。
