1．第1步：直观入手，选好入口
识读该图时，首先应寻找电路边缘处最直观、醒目的元器件，由它们出发可以识读靠近它们的一些单元电路。
(1)由电源插头寻找电源输入电路
首先，在该图的左下角，可找到交流电源插头P801，它是电源电路的输入端，是直观易读元件。根据电源电路程式，由P801沿着该电源电路的输入电路可以看到，由C801～C804和T801组成抗干扰滤波网络，主要用于防止电网引入或电源窜出的高频干扰杂波。
接着，可找到由D802～D805组成的低频桥式整流电路，其后面接有低频滤波电容C805。如果输入220V交流电压，经上述处理后可取得290～320V的不够稳定的直流电压；如果输入110V交流电压，可取得约160～170V直流电压，该直流电压施加到由Q803和T802有关绕组等组成的间歇振荡器。
(2)由接口CN801寻找电源输出电路
在本电路最右侧，画有插接件接口CN801，它设置14个接线端口，这些端口都已标注有英文缩写字词和有关电压数值，可将此端口视为直观易读元件，作为直观外围入口。由这些端口出发，可逆着电压流向寻找一批单元电路。易知．这些端口都是电源电路的直流输出端，例如：EVER5V、ANALOG5V(模拟5v)、DIGITAL5v(数字5V)、9V/8V、3.3V、-24V以及电压F2(-)、F1(+)等。由这些端口向电路图内部寻找，可以找到这些电压的相应电压源，相关电路如下图所示。
由3.3V端口向内部寻找，可以找到Q822，它应是3.3V模拟稳压调整管，再往前找，可找到T802的绕组⑨～⑩、D823和C825，它们应当是高频脉冲半波整流、滤波电路。脉冲电压经整流、滤波后可输出4.1～4.5V的直流电压，该电压经Q822稳压调整后，可以输出更为稳定的3.3V电压。
由数字5v端口向里找，可找到Q823，它是数字5v稳压管，再往前找，可找到T802绕组(8)～(11)，以及D822、C823、C824和L822，它们是高频脉冲整流、滤披电路。脉冲电压经D822半波整流后，可取得约5.8V的直流电压，它经C823、C824和L822组成的滤波网络，再经稳压模拟调整管Q823后，可取得稳定的5v直流电压。
由9V/8V端口向里找，可找到二极管D835和开关管Q824，其中，D835可将9V直流电压降压为8.4V左右；再往前找，可找到T802绕组⑦～⑩，以及D821、C821、C822和L821等，它们是高频脉冲整流、滤波电路。脉冲电压经D821半波整流后，取得约9.3V直流电压，再经C821、C822和L821组成的滤波网络，以及开关管Q824后，可输出8V和9V直流电压。
由-24V端口向里找，可找到稳压二极管D836^-D840（共5个），它们结合起来可形成24V稳压电路。
再往前找，可找到T802绕组(11)～(12)，以及反向放置的整流二极管D824、滤波电容C826。脉冲电压经整流、滤波后可输出-36.8V负值直流电压，再经过保险丝降压电阻RF823和稳压管群的稳压作用，可输出-24.7V负值直流电压。
接口CN801还设置了EVER5V、ANALOG5V两个端口。由图知，它们分别来自稳压控制ICQ821的①脚和④脚，估计IC内设置有5v稳压电路。另外，F2(-)和F1(+)两端口，是分别接到T802绕组(13)～(14)，其中，(13)端输出的脉冲电压经D825半波整流后，再经C828滤波后，取得正值4.9V直流电压，它送到F1(+)端口：而(14)端应输出负向脉冲电压，经稳压管D837～D840稳压，可输出-21V负值直流电压，它送到F2(-)端口。最后，CN801的③端尚未讨论，待后面专门讨论，至此，读图第1步结束。
2．第2步：打开缺口，联系前后前面，
根据电路图边缘处易读元件，已经识读了一批电路单元。接着，应当识读电路图内部的一些电路单元。通过寻找电路内部的薄弱环节，可以打开缺口，并向前后左右扩大战果，从而再识读一批电路。本图中，可将内部电路的可控间歇振荡器和控制ICQ821视为薄弱环节，现对它们作具体分析。
(1)识读可控间歇振荡电路
识读该电路图的读者，应当对间歇振荡电路的结构比较熟悉，如果不熟悉的话，应翻阅有关参考资料。该电源电路的自激间歇振荡电路如下图所示。它符合一般间歇振荡器的电路结构。该振荡器主要由复合开关管(组件)Q803、脉冲变压器T802绕组⑥～③㈣端和绕组①～②(ND)端、光电耦合器Q802、控制ICQ821内部的初级侧误差放大器等组成。它是一个典型的自激间歇振荡电路，并按照典型的工作过程进行周期性脉冲振荡。
先讨论它的振荡过程。经低频整流、滤波所得直流电压加到T802绕组6端时，该电压经启动电阻R804、R805加到Q803第②脚，使开关管oi（在Q803内）进入导通状态。在自感作用下，T802绕组⑥～③端出现“上0下e”的感应电动势；因互感作用，使绕组②～①也产生“上+下-”的感应电动势，使Q1基极电位上升，Ql导通加剧，利用正反馈作用，使Q1迅速进入深度饱和导通状态。然后，C809进入放电状态（原来C809已经充电，极性为“左+右-”）。放电路径是：Ql基——射极、R808、R807、R805、C810和R806等。随着C809放电过程，Ql基极电位下降，使其饱和程度逐渐变浅；此外，此时T802绕组②～①端仍有原来极性的电动势，它向C809逐渐充电，它也使Ql基极电位下降，当其基极电位下降到高于发射极电位0.6V时，oi退出饱和状态，回到放大状态。接着，Ql基极电位继续下降，在T802绕组②～①和⑥～③端也将产生感应电动势，但极性与原来相反。这又是一个迅速变化的正反馈过程，使Ql迅速进入深度截止状态。此后，Ql的电流停止，感应电动势消失，C809进入充电过程。充电路径是：电源正极、R804、C809、R806、C810、R807、C805等，它使Ql基极电位逐渐上升，使它的截止深度逐渐变浅，并最后退出截止状态，重新回到放大状态，开始新的振荡周期。
每个振荡周期约15μs，相当于振荡频率为65～70kHz。
再看振荡输出电压的自动调整过程。由Q821内部的初级侧误差放大器(CTL)、光电耦合器Q802、Q803内部的Q3等组成稳压电路的自动调整电路。它是一个负反馈控制环路，通过它的自动调整功能，可使输出电压维持在一个稳定值附近。
例如：由于某种原因使输出+9V端电压升高时，通过初级侧误差放大器取得误差电压，并进行误差放大，使Q821(12)脚电位下降，引起Q802内部发光二极管电流加大，进而使其光电三极管电流加大，其发射极电流加大又引起Q3的基极注入电流加强，可使Q3由截止状态进入导通状态，甚至进入强导通状态。Q3并联于oi的基—射极之间，可以看成是Ql的基极偏置电路的可调电阻，Q3电流增加时，等效于该可调电阻减小，基极偏置电流的分流加强，它引起Ql的饱和导通时间减小，也就减少了电源电路向机内负载提供能量的时间，因而降低了电源输出端的直流电压值，可维持输出电压不变。在Ql基极电路上还设置有Q2，它也是并联于Ql基一射极之间，这是一个小型难点电路，现作简要说明：在电源开关调整管Ql的发射极电路上，串接有电阻R808(0.47 Ω)。有读图经验的读者都知道，在该管发射级串接的小电阻可作过流、限流检测电阻，在它附近应当配置有过流、限流保护电路。该电阻并联在Q2基—射极之间，故可以设想Q2可能是过流、限流保护电路。当Ql发射极电流过大时，电阻R808上电压降增加，当增加到一定数值时，使Q2进入导通状态。当Q2导通后，像Q3那样控制Ql的电流。当Q2饱和导通时，可使Ql进入截止状态，起到过流保护Ql的作用。
(2)识读控制集成芯片Q821
在电路的输出部分设置有集成电路Q821。根据识读集成电路的方法要求，应当识读它的“职能类型，信号流程，内外联系，引脚功能”，对引出脚要做到“四清楚”，即“字词功能，信号波形，有关数据，流向分明’都要清楚。
通过查找资料，可以知道集成电路Q821是输出电压控制芯片，它的内部组成方框图如图所示。在其内部，设置有初级侧误差信号放大器、开／关电路、TSD电路、数字5v调整器、3.3V误差放大器、模拟5v调整器、EVER5V调整器等单元电路。其中，TSD（温度限流器）电路是模拟5v、3.3V、数字5v、EVER5V的辅助电路。当Q821温度升高后，TSD电路在130℃±20℃时开始工作，可以切断上述电压的输出，起到过热保护作用。Q821的内部电路配合外围分立元件，可以完成多路输出电压的控制功能。例如：初级侧误差放大器配合外部Q802、Q803等完成稳压自动调整控制功能：数字5v调整器经第⑥脚与Q823相配合，可完成数字5v电压的稳压功能；3.3V误差放大器第⑦～⑨脚与Q822相配合，完成3.3V稳压功能；开／关电路经第②脚外接Q824～Q828等，可完成开／关(ON/OFF)控制功能等。电压调整原理比较简单，此处不作具体说明。
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