MOS-FET晶体管工作特性

　　N沟道增强型MOS-FET常采用共源连接方式．其源极与衬底连接并接地，电路如下图所示。其输出特性曲线分为三个工作区：可调电阻区、饱和区和雪崩区。各工作区的特点如下：可调电阻区：漏极电流ID随VDs的变化近似于线性变化，所以又称为线性区。
　　
　　饱和区：漏极电流ID几乎不随VDs变化，但当VGs增大时，由于沟道电阻减小，其饱和电流值也相应增大，所以饱和区为MOS-FET的线性放大区。
　　
　　雪崩区：又称为击穿区，当VDS大于某一电压时，漏极与衬底的PN结发生反向击穿．ID就急剧增加，特性曲线进入雪崩区．在调整放大器时，应避免工作在击穿区。

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