场效应晶体管及其驱动电路

　　(1)场效应晶体管
　　
　　场效应管(MOSFET)与双极型晶体管相比，具有如下优点：①电压驱动，且驱动功率小；②是多数载流子工作器件，开关速度快，无“二次”击穿，热稳定性好。因此，场效应管是一种适应开关电源小型化、高效率化和高可靠性要求的理想器件。

　　下图中，源极跨在两个半导体区上，N型管箭头向左，表示载流子电子从源极出发；P型管箭头向右表示载流子空穴从源极出发。无论哪一型管子都是利用多数载流子导电（双极型晶体管是包含少数载流子导电的），不存在载流子导电和多余载流子复合表现出来的存储时间，因此，动作快，频率高，不存在二次击穿。
　　
　　在有限管子直接并联时，由于具有正温度系数，可以自动均衡电流（双极型晶体管则是具有负温度系数，所以并联要采取均流措施），不会产生过热点。这些都是MOSFET（场效应管）管的优点。
　　
　　使用MOSFET功率管比使用双极型晶体管可得到更多的好处。特别当器件用在高频时（一般在100kHz或更高），MOSFET（场效应管）的突出优点更会显现出来。

　　(2)电路的基本形式
　　
　　①直接驱动式。
　　
　　直接驱动又包括如下具体形式：
　　
　　a．用TTL驱动MOSFET。可按上图所示，用TTL驱动MOSFET。
　　
　　另一种驱动MOSFET的方法是使用专用的集成化缓冲器。下图中的DS0026，便是其中一例。 

　　
　　b．用CMOS电路驱动MOSFET。由于MOSFET有很高的输入阻抗，所以可考虑用CMOS电路直接驱动其栅极，如下图所示。

　　c．用线性互补电路驱动MOSFET。用线性运算放大器来直接驱动MOSFET，受限制的因素主要是运算放大器的回扫时间较长，因此，采用这种驱动方式的工作频率限于25 kHz以下。为了改善频带宽度和回扫速度稍慢的问题，可插入一个射极跟随器，如下图所示。

　　②耦合驱动式和混合式。
　　
　　驱动共漏极MOS -FET的另一类电路是，利用变压器耦合，如下图所示。

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