在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S；然后在漏极和源极之间的P型半导体表面蕉盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管，显然它的栅极和其他电极间是绝缘的。左图所示A、B分别是它的结构团和代表符号。
同样用上述相同的方法可制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管，右图所示A、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。
