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金属氧化物半导体型场效应管(MOS管)的构造

金属氧化物半导体型场效应管(MOS管)的构造

点击数:7637 次   录入时间:03-04 11:47:04   整理:http://www.55dianzi.com   元器件基础知识

  在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S;然后在漏极和源极之间的P型半导体表面蕉盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层膜,再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS管,显然它的栅极和其他电极间是绝缘的。左图所示A、B分别是它的结构团和代表符号。

  同样用上述相同的方法可制成为一个P沟道(PNP型)增强型MOS管,右图所示A、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。




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