肖特基快恢复二极管(SBD)和普通硅二极管，其正向电压VF者B在o.5v以上。
利用MOSFET管的低导通电阻，将二极管与功率MOSFET管并联，封装在一起，制成了正向电压VF几乎为Ov的理想二极管，其内部结构如上图。
由于功率MOSFET的导通电阻已低至数mΩ以下，其压降是导通电阻+j流过电流的乘积，故理想二极管的功率损失非常小。下图是理想二极管和普通二极管的功耗曲线。理想二极管通常不需驱动电源，不会产生振荡等不稳定现象。
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