④输入漏电流IN。理论上MOSFET输入的绝缘栅是不需要电流的，只要电压就可以工作。实际上没有绝对绝缘的物质（电容器存在漏电流就是一例），加之IC制造蚀刻、水洗几十道工序不可能没有留下任何可导电的物质（去离子水仍然含有少量的离子），漏电肯定比工艺简单的电容器来得明显。GS极间、GD极间有工作电压，自然也就有漏电流。
虽然在G极通常加有辅助恒流源予以偏置补偿，但是由于补偿精度等原因造成的偏差，不可能100%得到补偿解决。
看看上表的数据：标准25℃，输入漏电流IN典型值lpA，最大值可有10 pA；0℃～70℃范围，IN典型值20pA，最大值可有100 pA。可见，使用仪表的工作环境温度不容忽视。所以，表头要正常工作，还需要外电路利用测量电流提供需要的额外电流才行，这额外电流通常也表述为偏置电流。应该注意，输入漏电流IN不是表头测量时输入到表头的信号电流Igs，输入到表头的信号电流也是一种漏电流，由信号电压跟表头lC输入漏电阻Rg(通常大于1010Ω)确定。
结合图1电路，200mV挡末位单位电压值100μV，在分挡电阻10MΩ上产10pA，恰恰能够基本保证稳定偏置IN需要。对于2V挡末位单位电压值1mV，分档电阻10MΩ上流过的电流100 pA，IN10pA左右的分流（与下面1MΩ电阻并联）也不至于对分档分压造成太大误差。如果将分挡电阻增加到100MΩ，对于2V挡末位单位电压值1mV，分挡电阻lOOMn上仅流过10 pA的电流，INlOpA左右的分流会影响测量分压电压的正确比例形成，末位显示是无法正确的。所以，分挡电阻最大选出10MΩ是保证电压挡正确亡作的需要，并不是想增大就可以任意增大的。
利用200mV档测量电流，实际能够正确测量到100pA左右就不错了。
10MΩ分挡电阻（这里充当检流电阻）和表头lC同时需要电流，如果输入电流IX与IN相近，IN分流明显，检流电阻建立的电压不跟IX成正比，测量误差很大。检流电阻增加到100MΩ．在作为电流表运用时是不会明显改善效果的，反而使IN分流影响更明显，检流电阻建立的电压会误差更大。具体分析可参考图1、图2及简化等效电路图5、图6进行。
⑤参考电压VREF。ICL7106组成表通常VREF由IC自身输出一个稳定电压，然后由电位器调整获得；要求高的’另外设置稳压电路产生；带微处理器的，由微处理器控制数控电压IC产生。
从算式可以知道：参考电压VREF的准确度直接影响显示读数的准确度。
从图l、图2、图3、图4，图7比较可以看出：直流测量转换交流测量需要改变vl矸，测量电阻需要改接VREF位置，因此，多用表的VREF输入不是很稳定、牢靠，容易引入误差。所以，高准确度的较表用仪表，往往只有直流电压、直流电流测量，没有交流测量，更没有电阻测量，目的就是VREF不需要通过开关转换，在电路上保证VREF的输入可靠连接。
通过以上分析，我们基本可以知道：数字仪表末位显示虽然大多数情况可以稳定显示，但通常是存在误差的，有时误差还可能不小，甚至有些情况末位显示根本就跳动不停，末位显示数基本相当于我们在使用模拟仪表时所作出的估计数（相当于仪表代替人工估读）．属于有存疑的不可靠数。三位半可靠只有两位半，所以准确0.5%左右；四位半可靠只有三位半，准确度0.05%左右或0.1%。用数字仪表显示数位只有最后1-2位来做实验测量，显然是不够科学、严谨的，会引入很大的误差；只有最后一位显示，误差更是无法容忍。
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