图6用来解释如何实现这些特性所需要的结构差异的一个示意方案（此示意图并不暗示圣邦使用了这一结构）。其中CC1~CC3恒流源需要利用双极型的本征恒流特性稳定输入差分对的偏置；A采用CMOS取得高增益；T1、T2采用DMOS实现高耐压。低压运放不需要这些组合。
图6： 解释高压运放结构差异的示意图。
开发高压运放、完善工业产品链的社会意义大于开发者的直接经济意义。尽管高压运放对工业应用来讲是不可或缺的，但实际上，其应用空间被低压结构系统不断挤占。其一是因为在大多系统中信号最终被馈送到或者最初来自低压的数字处理电路，低压系统已具备系统级高设计容限；其二是外围电路改进可利用低压电路取得类似高压器件的容限，分享低压元件选择性大、供应量好和价格低的红利。但是有些应用场景注定需要高压运放，图7示意了在输入侧和输出侧适合使用高压运放的若干情况。
图7： 若干需要高压运放的情况。
本文小结
半导体集成运算放大器从60年代开发面市，历经半百沧桑到今天还能见到不断有新的产品推出，见证了人类对自然深入探究和提升自我的不断追求。近些年国内出现了若干家像圣邦一样以模拟集成电路开发推广为主要业务的新半导体公司，对拓展应用和推动市场竞争做出贡献；本文介绍的圣邦公司产品的特性均可与已知高性能产品的规格齐平。在成熟的应用中，包括运放在内模拟电路被越来越多地集成到了单片系统中，同时随着认识的深入和处理能力的加强、也不断有新的要求需要新的产品来满足。
本文关键字：放大器 运算放大器，单元电路 - 运算放大器
