当前固体微光器件以EBCCD 及EMCCD 器件为主，随着CMOS 工艺及电路设计技术的发展， 微光CMOS 图像传感器的性能在不断提高，通过采用专项技术，微光CMOS 图像传感器的性能已接近EMCCD 的性能， 揭开了CMOS 图像传感器在微光领域应用的序幕。随着对微光CMOS 图像传感器研究的进一步深入，在不远的未来，微光CMOS图像传感器的性能将达到夜视应用要求，在微光器件领域占据重要地位。
读出电路是微光CMOS 图像传感器的重要组成部分，它的基本功能是将探测器微弱的电流、电压或电阻变化转换成后续信号处理电路可以处理的电信号，它的噪声水平限制着CMOS 图像传感器在微光下的应用。微光条件下像素的输出信号十分微弱，任何过大的电路噪声、偏移都可以将信号湮没，因此提高读出电路输出信号的SNR 是微光设计的关键之一。本文采用的新型电容反馈跨阻放大型读出电路CTIA电路，可以提供很低的探测器输入阻抗和恒定的探测器偏置电压，在从很低到很高的背景范围内，都具有非常低的噪声，其输出信号的线性度和均匀性也很好，适合微弱信号的读出。
1 电路设计
为完成探测器输出电流向电压的精确转化，所设计的电路由CTIA 和相关双采样(CDS)组成，CTIA 由反向放大器和反馈积分电容构成的一种复位积分器。其增益大小由积分电容确定。图1 为典型CTIA 电路结构。
图1 典型CTIA 结构
当Reset 信号为高时，MOS 开关开通，由运算放大器的虚短特性可知，输入端的电压与Vref相等，此时积分电容两端电压相等， 都为Vref。当Reset 信号变为低电平时，MOS 开关关断，由于输入端的电压由Vref控制，因此在积分电容Cf右极板上产生感应电荷并慢慢积累，右极板电压逐渐增大，积分过程开始。最后电压通过相关双采样电路读出。
