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1μ m位移检测电路

1μ m位移检测电路

点击数:7822 次   录入时间:03-04 11:58:09   整理:http://www.55dianzi.com   传感-检测-采集电路

  数字摄像机的光学防抖系统,需要高精度地检测微小的位移,利用霍尔元件检测磁石的移动,可以达到这一目的。

  位移在1mm以下的结构:如上左图行示,利朋一个磁化方向与移动方向相同的磁石(尺寸为1.0mm×1.0mm×2.0mm)和一个霍耳元件(HG—106C),就可实现位移检测。霍尔元件的感磁而与磁石表而的距离为0.75mm,在磁极附近,磁通量相对于位移呈理想的线性变化,故可达到1μm的检测精度。霍耳元件的输出电压约100mV,需要进行电压放大,电路如下图。

  位移在1mm~5.5mm范围内的结构:

  如上右图所示,磁石(尺寸为4.9mm×3.3mm×3.2mm),的磁化方向与位移方向垂直,用两个霍耳元件(HQ-0111)检测,霍耳元件的感磁而与磁石表面的距离为3.0mm,两个霍耳元件的中心距为3.0mm。将两个霍耳元件的磁通量的差与磁通量的和相除(差÷和),可得到相对于位移的线性变化。在1mm移动量以内可得到2μm以下的分辨率。




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