系统级静电放电电路保护设计考虑因素

BR；但是，这是不可能的事情。R_DYN 的最新工业标准值为 1 Ω 或者 1 Ω 以下。利用传输线路脉冲测量技术可以得到 R_DYN。使用这种技术时，通过 TVS 释放电压，然后测量相应的电流。在得到不同电压的许多数据点以后，便可以绘制出如图6一样的 IV 曲线，而斜线便为 R_DYN。图 6 显示了 TPD1E10B06 的 R_DYN，其典型值为 ~0.3 Ω。 

图 6 TPD1E10B06 的 IV 特性

       钳位电压

      由于ESD是一种极速瞬态事件，I/O 线路的电压不能立即得到箝制。如图 7 所示，根据 IEC 61000-4-2 标准，数千伏电压被箝制为数十伏。如方程式 1 所示，R_DYN 越小，钳位性能也就越好：

其中，I_PP 为 ESD 事件期间的峰值脉冲电流，而 I_parasitic 为通过 TVS 接地来自连接器的线路寄生电感。 

图 7 8Kv 接触放电的 ESD 事件钳位

       把钳位电压波形下面的区域想像成能量。钳位性能越好，受保护ESD敏感型器件在ESD事件中受到损坏的机率也就越小。由于钳位电压很小，一些TVS可承受IEC模型的8kV接触式放电，但是“受保护”器件却被损坏了。 

      电容

      在正常工作状态下，TVS为一个开路，并具有寄生电容分流接地。设计人员应在信号链带宽预算中考虑到这种电容。 

      结论

      由于 IC 工艺技术节点变得越来越小，它也越来越容易受到 ESD 损坏的影响，不管是在制造过程还是在终端用户使用环境下。器件级 ESD 保护并不足以在系统层面为 IC 提供保护。我们应在系统级设计中使用独立 TVS。在选择某个 TVS 时，设计人员应注意一些重要参数，例如：V_BR、R_DYN、V_CL 和电容等。 

参考文献

《系统级ESD/EMI保护设计指南》 www.ti.com/lit/SSZB130B

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