3 电路仿真结果
基于CSMC 0.5 μm 双阱CMOS 工艺仿真模型,采用Cadence仿真软件对精简结构LDO进行了三个工艺角(tt,ff,ss)下仿真验证。这个系统设计指标的是让LDO驱动最大30 mA的负载电流,同时保持输出电压稳定在1.14 V,输入电压最小为1.35 V.LDO 的温漂曲线如图3所示。
通过采用补偿电容外接串联电阻的方法,创造一个左半平面的零点来补偿一个非主极点,让电路获得比较好的环路相位裕度,在三个工艺角下,相位裕度都能达到70°(见图4)。
暂态输出电压变化如图5所示,当负载电流从0~30 mA瞬态变化时,输出电压变化最大仅为9 mV.
4 结语
本文给出了一种低电压1.14 V、低静态电流1.7 μA 的LDO,通过将带隙基准电压源与误差放大器合二为一获得精简结构的LDO.
因此实现了低静态电流消耗,同时获得较好的暂态输出电压性能,最大暂态电压变化仅为9 mV.
本文关键字:稳压器 稳压-电源电路,单元电路 - 稳压-电源电路
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