图6：eGaN FET原型半砖PSE转换器与D转换器(商用MOSFET解决方案)半砖PSE转换器的效率比较。
图7：eGaN FET原型与D转换器半砖PSE转换器的功耗比较。
图8：eGaN FET原型与B转换器半砖PSE转换器的效率比较。
图9：eGaN FET原型与B转换器半砖PSE转换器的功耗比较。
本文小结
本章对采用eGaN FET原型设计的全稳压半砖式供电设备转换器与类似的MOSFET转换器进行了比较。与可比的先进商用转换器相比，eGaN FET原型工作在约高出两倍的开关频率时，性能可以得以充分发挥。与最接近的商用转换器相比，其输出功率可以高出100W。
值得注意的是，在砖式转换器设计中，拓扑的选择和器件的优化与选择最佳功率器件同样重要。所有擅长于这些工艺的工程师应该能够进一步改善本文所讨论的eGaN FET原型的性能。
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