关键特性
· 小尺寸：在0.3in?上集成了四个通道
· 低功耗：每通道325mW (典型值)
· 高速：3VP-P时, 300Mbps
· - 2.2V 至+5.2V工作电压范围
· 有源端接(第3级驱动)
· 集成PMU 开关
· 无源负载
· 低泄漏模式：20nA (最大值)
· 低增益误差、失调误差
· 提供无铅(Pb)封装
应用范围
· 有源老化系统
· DRAM 探测器
· 低成本混合信号/片上系统(SoC) 测试器
· NAND闪存测试器
· 结构测试装置
原理框图
