IR降和电迁移（EM）是核心区中需要关注的其它主要领域。你必须确保核心区中的最坏情形电源电压不下降到标称值的10%以下，这意味着封装和晶粒的电源总变化不应超过10%。外部电源本身一般有5%的公差，这意味着你一般需要晶 粒的IR降不高于5%。否则，你必须使用公差更小的外部电源，这会明显增加它的稳压器成本。该要求通常决定了晶粒上的电力和接地I/O缓冲区数量，以及顶部金属层（你将在这些层上设计电源网）的厚度和宽度选择。
电迁移通常是指在电场的作用下导电离子运动造成元件或电路失效的现象。分别为发生在相邻导体表面的如常见的银离子迁移和发生在金属导体内部的金属化电子迁移。ir降就是由于i（电流）和r（电阻）所引起的偏差，从微观出发，在测试电压或电流时，会对一些仪器造成测试障碍，导致读数偏差。
最后，你将需要在核心中插入解耦电容，来平滑核心电流的大峰值。另外，当芯片包含多个电源时，一个主要设计考虑就是确保有足够的解耦电容或相位管理，以便在工作电流的任何突然涌动期间保证接通操作的完整性。
本文关键字：管理系统 能源利用和回收，电源动力技术 - 能源利用和回收
上一篇：用废旧小电机作直流高压发生器
