JFET场效应管放大器的选用

　　JFET放大电路和双极管放大电路一样，可以根据晶体管静态特性曲线进行设计。但是，并非每种商品JFET都可以找到特性曲线，即使找到一张同型号管的曲线圈，由于生产厂、生产时间、产品批次的不同，代表性大打折扣，再加上管子本身特性的离散性，使这种曲线圈的利用价值更值得怀疑。为此，大动千戈实无必要，实用中以JFET的典型电特性进行估算倒还可行。现以2SK15-Y为例介绍元件参数的估算方法。根据晶体管数据手册．2SK15一Y的参数如附表所示（日本的2SK系N沟道FET、2SJ系P沟道FET）。
　　
　　根据表中数据，首先VOD。栅极为N沟道JFET最负电位点，击穿电压为-20V，VGs与VDS之和必须低于20V。
　　
　　因此，选用VDo=12V。静态漏极电流lo以0.5mA为限，一般ID≈lDSS/3为妥。工作点IO与放大器输八信号幅度必然呈正比增大。
　　
　　JFET管用于前级小信号放大时，可选用ID为0.3mA左右：如用于中间电压放大，可选择为0.5mA~lmA；驱动级则应选择10～1mA~5mA，视放大器总体增益而定。上述常规ID值选择也可乘以3～4倍，作为选择放大器IDS值时参考。
　　
　　Rs的选择。以夹断电压额定僮2.5V为标准，以下式求Rs：Rs=Vp/210=2.5W(2x0.5mA)≈2.5kΩ式中2xIO是考虑峰一峰值输入信号使ID变量是双向的峰值。
　　
　　选择负载电阻RLo因为静态VDS应为vco/2f即6V），所以(RL+Rs)lo=6V，即RL+Rs=12kΩ，则RL=12kΩ-2.5kΩ=9.5kΩ。由此结果可知，电压增益为Kv≈（RJRs）≈1.9倍
　　
　　JFET组成有负反馈的电压放大器，电压增益虽不高，但具高阻抗输人特性，用于前级放大，信号传输率增大，有效电压增益还是很可观的。

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