场效应管及其在DX中波发射机中的应用

    图5为放电回路早期图纸，该公司设计人员采用的100W10Ω(R13、R14、R15、R16)的放电电阻在实际使用中，会经常有IRFP360管子损坏、放电电阻烧毁的情况发生。后来HARRIS公司将其全部更换为250W40Ω后再无类似情况出现。
2．5 功率MOS管在其它地方的应用
    DX-600中波发射机中功率MOS管的应用位置非常多，比如PB200射放的前级一缓冲级由4支IRL510功率MOS管两两构成两组推挽电路，一主一备各自完成将4～4．5Vp-p射频激励信号放大至15Vp-p的信号去推动驱动级(与RF 3XL射放模块相同电路)。在PB200功放单元的B+／B-开关电源中，输出可达65A的B-电源由四只IRFP448功率MOS管提供，输出20A的B+电源由两支Motorola生产的N型EMOS (Motorola称为TMOS)功率管MTW8N5E提供。其它功率MOS管应用的地方还有很多，在此不再一一列举。

    3 结束语
    由此可见，场效应管因为它速度快、功耗低、抗干扰等优点，在中波射放系统中得到了广泛的应用，特别是IR公司功率MOS管的出现及在DX中波发射机中的大量使用(DX-10中波机射放系统的模块采用IRFP350功率MOS管)，使电子管完全退出了中波发射机，引领现代广播发射设备发生了深刻的变革。

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