0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计

    图8 输出1dB压缩点测试结果

    结束语

    本文设计了一种性能良好的超宽带全集成CMOS 射频收发开关芯片，芯片总面积为0.53mm2。测试结果表明，在1.8V电压供电条件下，该射频开关在0.1-1.2GHz频段内收发两路均可达到 0.7dB左右的插入损耗，小于-20dB的回波损耗以及优于37dB的隔离度。并且，在433MHz和900MHz频率下可分别实现23.1dBm和 22.7dBm的线性度。该电路满足0.1-1.2GHz频段无线宽带射频收发芯片的基本设计需求，并适用于RFID和GSM-R系统中的典型应用。

上一页  [1] [2] 

本文关键字：开关  射频技术-RFID，通信技术 - 射频技术-RFID