PSW(on)=VIN×I/2×(t3+t1)×1/T?(24)
转换器的开关频率为fSW=1/T，MOSFET的关断特性与开启时类似。总开关损耗可由公式25计算：
PSW=VIN×1/T×(Imin/2×ton+Imax/ 2×toff)。。。。。。(25)
开关时间将取决于驱动器的电流驱动能力和MOSFET的闸极电阻，假设开启和关断时的驱动电流相等，则开关时间为tSW=QG/Idrive
LTC3851 tSW可由公式26估算：
tSW=QG×Rdrive/(Vdrive–VGS(th))。。。(26)
控制器的Rdrive约为2欧姆，与其有关的电压是驱动器电压INTVCC–V(th)。
小讯号MOSFET转换/散热效率俱优
显而易见，小讯号MOSFET适合中等功率DC-DC转换，若闸极-源极电压为4.5伏特，可提供15毫欧姆的RDSon，对SOT457元件而言，这是非常小的电阻，可提供更优异的电源转换效率，再加上採用铜片引线框架，让封装尺寸缩小，亦可具有良好散热性能。
图10是一张热成像照片，说明此一参考设计的DC-DC转换器PCB的输出电流为6安培，并将电压从10伏特降为1.5伏特，由于工作週期低至0.15，低端开关比高端开关散发更大的热量;而该元件的温度约为80℃，可推断结点温度Tj通常比封装表面高5?10℃，故本测试中，Tj低于90℃。
图10 内建DC-DC转换器的PCB热成像照片
高效率中等功率DC-DC转换器可采用小讯号MOSFET设计，P通道MOSFET作为高端开关，与萧特基二极体共同组成简单转换器，其中，萧特基二极体须具低正向电压，採用紧凑型扁平功率封装，若还须进一步提升效率，则要改採同步DC-DC转换器。
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