针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数

　　第二个关键参数为RDSON。当选定ID时，RDSON越低就越好。这是因为较低的RDSON可以提高总效率、降低VIN和负载之间的压降并减轻开关的散热压力。

表1：N沟道FET开关和P沟道FET开关的比较。

　　如果ID和RDSON都已确定，设计人员通常会考虑开关的以下四个关键参数：动态响应、关断电源电流、关断泄漏电流和封装尺寸。

　　对于高端负载开关，动态响应是指负载电压随着使能信号逻辑电平的变化从GND升至VOUT(=VIN-RDSON×ID)或者从VOUT降至GND所用的时间。

　　当使能信号在传播延迟或导通延迟时间(tON_DLY)之后使能时(由栅极控制电路和输入逻辑电路引起)，VG将转换至导通开关所需的足够高(或足够低)的电平。此时，负载上的输出电压(N沟道FET开关的输出电压为VS，P沟道FET开关的输出电压为VD)开始上升，电压达到满VOUT所用的时间称为导通上升时间(tON_RISE)。要求快速响应的应用需要tON_DLY和tON_RISE足够短，而需要软件启动来限制电涌的应用则要求tON_DLY和tON_RISE相对较长，这取决于系统要求。

　　同样，当使能信号在传播延迟或关断延迟时间(tON_DLY)之后使能无效时，VG将转换至关断开关所需的足够低(或足够高)的电平。此时，负载上的输出电压从满VOUT开始下降，电压下降到GND所用的时间称为关断下降时间(tOFF_FAIL)。通常要求tOFF_DLY和tOFF_FAIL足够短，以便负载能够迅速被关断。如果负载具有较大的容性元件，活动负载放电功能将有助于减小tOFF_FAIL。

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　　关断电源电流和关断泄漏电流也是需要考虑的重要 参数 ，特别是在设计需要较长的电池工作时间的电池供电设备时。 关断电源电流是内部电路在开关关断时消耗的电流。关断泄漏电流是开关关断时MOSFET传递给输出的电流。关断电源电流和关断泄漏电流越低，系统总效率就越高。对于电池供电的应用，这可以获得更长的电池工作时间。

　　对于封装尺寸(管脚面积和外形轮廓)而言，很明显是越小越好。特别是对于空间有限的低电流系统(电池供电的手持设备)中使用的P沟道开关，情况更是如此。

　　MICrel半导体公司提供一套完整的P沟道FET高端 负载开关 ，目标市场为电池供电的便携式设备。最新成员MIC94060/1/2/3产品系列拥有业内领先的关键参数，而这些参数都是设计师们最关心的。

表2：MIC94060/1/2/3与其它产品的比较。

　　从表2可看出，MIC94060/1/2/3可在2A电流等级提供75m?的最佳RDSON。此外，它还具有市场上最低的关断电源电流和关断泄漏电流，具有导通和关断状态下出色的动态响应以及1.2×1.6mm的最小MLF封装。因此，在文章开头提到的那些电池供电的便携式设备中，MIC94060/1/2/3已经确立了其性能领先的地位。

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