HKMG技术未来一段时间内的发展趋势：
High-k绝缘层的材料选择方面，包括Intel公司的Bohr在内，大家似乎都同意HfO2将在未来一段时间内继续被用作High-K层的材料，业界近期将继续在改良HfO2材料上做文章，部分厂商可能还会考虑往HfO2层中添加一些特殊的材料，但他们近期不会把主要的精力放在开发介电常数更高的材料方面。
另外，有部分厂商的主要精力则会放在如何减小High-k层下面的SiO2界面层(IL)的厚度方面，其目标是在High-k绝缘层的等效氧化物厚度为10埃时能把这种界面层的厚度降低到5埃左右。Sematech公司负责High-k项目研究的高管PaulKirsch表示：“业内现在考虑较多的主要是如何进一步优化HfO2材料，而不是再花上五年去开发一种新的High-k材料。从开发时间要求和有效性要求方面考虑，目前最有意义的思路是考虑如何消除SiO2界面层和改善High-K绝缘层的介电常数值。”
Gatefirst在如何有效消除SiO2界面层(ZIL)方面的优势及各方评述：
消除SiO2界面层方面，在去年12月份举办的IEDM会议上，科学家们发布了多篇有关如何消除SiO2界面层的文章(ZIL:zerointerfacelayer)，其中IBM的Fishkill技术联盟也公布了自己的方案，并宣称这种方案将在自己的gate-first32/28nm制程中使用。
耶鲁大学的T.P.Ma教授表示，ZIL技术虽然非常吸引人，但通常需要使用高温工步来消除SiO2界面层，而gate-first工艺制作的栅极则正好能够承受这种高温，所以这项技术对采用gate-first工艺的厂商比较有利。他认为，按照他的理解，ZIL技术的实现需要使用“高温化学反应”来有效地去除栅极结构中残留的SiO2界面层，这样这项工艺对使用gate-first工艺的厂家而言实现起来难度更小一些，而使用gate-last工艺的厂商则会尽量避免使用高温工步。他还表示，IBM和Sematech公司所制出的ZIL结构已经能够在5埃的等效氧化层厚度条件下达到较好的防漏电性能。
不过据Sematech公司的材料与新兴科技研发副总裁RajJammy表示，尽管Sematech公司早期的ZIL结构确实是在gatefirst工艺的基础上制造出来的，但是“要制出ZIL未必需要依靠高温处理工步，而主要是要去掉界面层中的氧离子。”他还强调不同的情况需要采用不同的热处理方式来进行处理，才能得到较好的管子参数。
而另外一篇IMEC的研究报告则指出，“我们制作ZIF的方法是需要进行高温热处理的，不过要生成理想的无界面层栅极结构的方法有很多种，因此未必说gatelast工艺就不利于ZIL的制作。”他还表示应该可以找到一种方案来兼顾ZIL与gatelast工艺的优点。
另外，在被问及对ZIL技术的看法时，Intel高管Bohr回答称，“在我的印象中这种技术并不是很有效，这主要是由于ZIL结构对沟道的载流子迁移率有一定的不良影响，而如果我们能够很好地控制界面层的材料和厚度，管子的性能一样也可以达到要求”，他还表示“相比之下，我认为我们应该努力去改善High-K绝缘层的材料，并想办法减小金属电极的电容.”
Gartner市调公司
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的Freeman则表示，从28nm制程节点开始，台积电公司与GlobalFoundries之间的 HKMG 产品由于所用的工艺不同，因此将存在比较明显的区别。按照这样的差别趋势发展下去，一种最终的可能就是IBM和GlobalFoundries会在22nm制程节点马上转向 Gate-last 工艺，而另外一种可能就是由于gatefirst在ZIL方面的优势被实际的应用证明，而将慢慢处于领先的位置。Freeman还表示：“在16nm制程节点，如何控制好管子的界面层，将是至关重要的。”
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