EE62:
CALL OUTDATA
CLR CS
CALL STATUS ; 延时10ms
RET
;==========================================================
;名称: 片写指令(WRAL 指令)
;功能: 将命令中指定的数据写入整个存贮器阵列
;----------------------------------------------------------
WRAL:
SETB CS ;片选置1,选中芯片
MOV DPTR, #(10001B SHL (NADDR-2))
MOV B, #(NADDR+3)
CALL OUTDATA
MOV DPL, DATA_LO
JB SIZE, EE71 ; SIZE=0时,8bit; SIZE=1时,16bit;
MOV B, #8
JMP EE72
EE71:
MOV DPH, DATA_HI
MOV B, #16
EE72:
CALL OUTDATA
CLR CS
CALL STATUS ; 延时10ms
RET
;==========================================================
;名称: 地址擦指令(ERASE 指令)
;功能: 将指定地址中所有数据位都为置为"1"
;----------------------------------------------------------
ERASE:
SETB CS
MOV DPTR, #111B ;擦除指令操作码"111B"
MOV B, #3
CALL OUTDATA
MOV DPL, ADDR_LO ;地址低位
MOV DPH, ADDR_HI ;地址高位
MOV B, #NADDR ;
CALL OUTDATA
CLR CS
CALL STATUS ; 延时10ms
RET
;==========================================================
;名称: 片擦指令(ERAL 指令) ,
;功能: 将整个存储器阵列置为"1"
;----------------------------------------------------------
ERAL:
SETB CS
MOV DPTR, #(10010B SHL (NADDR-2)) ;左移
; ERAL指令 操作码和地址为: 10010B
MOV B, #(NADDR+3)
CALL OUTDATA
CLR CS
CALL STATUS ; 延时子程序
RET
;==========================================================
;名称: 擦/写允许(EWEN 指令)
;功能: AT93CXX在上电复位后,芯片处于擦/写不允许状态,
; EWEN 指令将芯片置为可编程状态,即可擦/写
;----------------------------------------------------------
EWEN:
SETB CS
MOV DPTR, #(10011B SHL (NADDR-2)) ;将10011B向左移((NADDR-2)位
; EWEN 指令: 操作码的地址为: 10011B
MOV B, #(NADDR+3)
CALL OUTDATA
CLR CS
RET
;==========================================================
;名称: 擦/写禁止(EWDS 指令)
;功能: 使用该指令可对写入的数据进行保护，操作步骤与擦／写允许指令相同.
;----------------------------------------------------------
EWDS:
SETB CS
MOV DPTR, #(10000B SHL (NADDR-2))
MOV B, #(NADDR+3)
CALL OUTDATA
CLR CS
RET
;==========================================================
;延时子程序
;----------------------------------------------------------
STATUS:
PUSH B
SETB DO ; FLOAT PIN
SETB CS
MOV B, #220 ; 220 * 50 us = 11 ms
EE40:
PUSH B ; 2 us
MOV B, #22 ; 2 us
DJNZ B, $ ; 2 us * 22
POP B ; 2 us
JB DO, EE41
DJNZ B, EE40
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