今天我告诉大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G
其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。
但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。
2、 绝缘栅双极晶体管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。
工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。
至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A，由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。
此外，其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10KHZ以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。
目前，在新系列的中小容量变频器中，IGBT已处于绝对优势的地位！
最近市场出现智能性模块，模块中包含了过电流、过电压、低电压、过热等保护，我也相信在今后的发展中能和大家一起学习，共同维护好我们的使命！ $如果要正确的使用变频器, 必须认真地考虑散热的问题. ！！！变频器的故障率随温度升高而成指数的上升。使用寿命随温度升高而成指数的下降。环境温度升高10度，变频器使用寿命减半。 因此，我们要重视散热问题啊！
在变频器工作时，流过变频器的电流是很大的, 变频器产生的热量也是非常大的，不能忽视其发热所产生的影响
通常，变频器安装在控制柜中。我们要了解一台变频器的发热量大概是多少. 可以用以下公式估算: 发热量的近似值= 变频器容量（KW）×55 [W]
在这里, 如果变频器容量是以恒转矩负载为准的 (过流能力150% * 60s)
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