变频电源主要器件选择

一.APFC芯片及控制方案

变频电源中功率因数校正电路以三菱公司生产的CM200DY-24A芯片为核心，开关管选用的

VT1选用增强型MOSFET。具体控制方案为：从负载侧A点反馈取样，引入双闭环电压串

联负反馈，以稳定DC/DC变换器的输入电压和整个系统的输出电压。

二.准谐振DC/DC变换器

变频电源系统采用电流驱动同步整流技术[8]，基本思路是通过使用低通态电阻的MOSFET

代替DC/DC变换器输出侧的整流二极管工作，以最大限度地降低整流损耗，即通过检测流

过自身的电流来获得MOSFET驱动信号，VT1在流过正向电流时导通，而当流过自身的电

流为零时关断，使反相电流不能流过VT1，故MOSFET与整流二极管一样只能单向导通。

选择同步整流管主要是考虑管子的通态电流要大，通态电阻小，反向耐压足够大(应按

24V时变压器次级变换反向电压计　算)，且寄生二极管反向恢复时间要短。经对实际电路

的分析计算，选用ONSEMI公司生产的MTY100N10E的MOSFET管，其耐压100V，通态

电流为100A，通态电阻为11MΩ，反向恢复时间为145ns，开通延迟时间和关断延迟时间分

别为48ns和186ns，能满足系统工作要求。

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