70(Je4B4247).在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋向平衡。( √ )
71(Je4B4248).当设备各部分的介质损耗因数差别较大时，其综合的tgδ值接近于并联电介质中电容量最大部分的介质损耗数值。( √ )
72(Je4B3249).介质损耗因数tgδ试验，可以发现设备绝缘整体受潮、劣化变质、以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。( √ )
73(Je4B4250).一台DW8-35型油断路器，在分闸状态下，测得A相套管和灭弧室的tgδ为7.9%，落下油箱后，tgδ为6.7%；卸去灭弧室并擦净套管表面后，tgδ为5.7%。据此可判定该套管绝缘良好。( × )
74(Je4B3251).在一般情况下，介质损耗tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。( √ )
75(Je4B5252).在交流外施耐压或感应耐压试验中，正确使用并联谐振或串联谐振试验方法，都能够获得降低试验变压器容量和电源容量的效果。( √ )
76(Je4B4253).变压器在额定电压、额定频率、空载状态下所消耗的有功功率，即为变压器的空载损耗。( √ )
77(Je4B3254).测量断路器刚分、刚合速度，是分别以动、静触头刚分后、刚合前10ms内的平均速度作为刚分、刚合点的瞬时速度。( √ )
78(Je4B3255).自耦调压器的优点是体积小，质量轻，波形较好。( √ )
79(Je4B4256).用电压互感器配电压表测量和用静电电压表测量已停电的变电设备(或线路)的感应电压，结果是一样的。( × )
80(Je4B4257).测量装在三相变压器上的任一相电容型套管的tgδ和C时，其所属绕组的三相线端与中性点(有中性点引出者)必须短接一起加压， 其他非被测绕组则短接接地，否则会造成较大的误差。( √ )
81(Je4B3258).电力设备的局部放电，是指设备绝缘系统中被部分击穿的电气放电，这种放电可以发生在导体(电极)附近，也可发生在其他位置。( √ )
82(Je4B5259).试品在某一规定电压下发生的局部放电量用视在放电量表示，是因为视在放电量与试品实际放电点的放电量相等。( × )
83(Je4B4260).从变压器任意一侧绕组施加电压做空载试验，所测量计算出的空载电流百分数都是相同的。( √ )
84(Je4B4261).将R、L串联接通直流电源时，电阻R阻值越大，阻碍电流通过的能力越强，因而电路从初始的稳定状态到新的稳定状态所经历的过渡过程也就越长。(× )
85(Je4B3262).电力电缆在直流电压作用下，绝缘中的电压分布是按电阻分布的。( √ )
86(Je4B3263).发电机运行时的损耗包括机械损耗、铁芯损耗、铜损耗和附加损耗。( √ )
87(Je4B4264).变压器的空载损耗与温度有关，而负载损耗则与温度无关。( × )
88(Je4B5265).用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tgδ的具体接法是：高压绕组A端加压，X端和底座接地；二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥Cx引线相连；电桥按正接线方式工作。( × )
89(Je4B3266).局部放电试验是一种发现绝缘局部缺陷的较好方法。(√ )
90(Je4B3267).为了消除表面泄漏的影响，在做直流泄漏试验时，通常采用屏蔽法。( √ )
91(Je4B3268).电力电缆的泄漏电流测量，同直流耐压试验相比，尽管它们在发掘缺陷的作用上有些不同，但实际上它仍然是直流耐压试验的一部分。( √ )
92(Je4B3269).对于不稳定的高阻性电缆接地故障，可采用惠斯登电桥测寻故障点。( × )
93(Je4B3270).测量发电厂和变电所的接地电阻时，其电极若采用直线布置法，则接地体边缘至电流极之间的距离，一般应取接地体最大对角线长度的4～5倍，至电压极之间的距离取上述距离的0.5～0.6倍。( √ )
94(Je4B3271).交流耐压试验时，应测量试验电压的峰值Um，并使Um／ ＝标准规定的试验电压U(有效值)。( √ )
95(Jf4B3314).当整流装置的交流电压是220V时，应选用300V的可控硅。( × )
96(Jf4B3315).黄绝缘电机的电腐蚀中，定子槽壁和防晕层之间的腐蚀称为内腐蚀。( × )
97(Jf4B4316).黄绝缘电机的电腐蚀中，防晕层和主绝缘之间的腐蚀称为内腐蚀。( √ )
98(Jf4B4317).发电机定子绝缘外表面防晕层所用材料，在槽中部为高阻半导体材料，在端部为低阻半导体材料。( × )
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