五、BI-MOS工艺
由于JFET能被用作高阻抗的输入级，人们可能很想考虑把MOSFET管用于同一目的，某些厂商开发出能使MOSFET包含在双极型集成电路上的生产工艺。理想状态MOSFET管仅有氧化物漏流而没有JFET中的结漏流。这一漏流低得多，可能使输入偏置电流降低，然而，MOSFET是种ESD敏感器件，它要求在输入级上有二极管保护，常常是这些二极管呈现的漏流至少像JFET输入放大器的输入偏置电流一样大，而且在音频频谱内，MOSFET往往是比JFET更多的噪声源，而且直流失调很难控制。
当MOSFET被用于一个运放的输出级时，它能使输出摆动到接近于电源电压。在常规的双极型输出级中，输出摆幅受饱和电压和其它影响的限制。重要的一点是，要注意必须给MOSFET输出级加一点载荷，以减少它对RON的影响。
六、CMOS工艺
放大器全部由MOSFET管构成也是可能的，但如果按着传统的运放设计来构成，则这些放大器表现的性能很差。较新的设计是使用CMOS开关和外部电容来提供失调电压抵消，这类似于在斩波稳定放大器中使用的方法，这种设计有噪声高、输出能力差和限制电源电压范围的缺点。
七、激光修正
激光修正技术可以适用于上述的芯片上含有薄膜电阻的任何一种形式的放大器，通过修正一对电阻中的一个电阻，可以调整差分输入级中的工作条件，以便降低失调电压。这种技术使得常规生产的双极输入运放，可保证具有低至25 V的失调电压，而高性能的BIFET放大器可保证只有250 V的失调。经失调调整的放大器能够制成精密的电路而不需要外部失调调节。外部调节常常易遭受电位器不稳定、机械冲击以及意外的失调等影响。
八、“Zener-Zap”修正
修正失调电压的另一种方法是所谓的“Zener-Zap”修正。在激光修正中，是通过修正电阻来改变双极型差分级中的射极电流。在“Zener-Zap”中，用计数的方法（类似于DAC）调整一系列电流源以造成电流的平衡，从而形成了最低的失调电压。当通过检测设备规定了电流源的正确组合时，把高压脉冲加到期望的电流源上，来对它们实行永久编程。
“Zener-Zap”唯一不利的方面就是可编程电流源比一对薄膜电阻要求占用更大量的芯片面积，因而它不适用于用做需线形调节的数据变换器，其优点是它不要求薄膜淀积工艺步骤。AD OP-07是“Zener-Zap”修正运放的一个例子。
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