采用适合工艺技术制造硅MEMS振荡器._电工基础

采用适合工艺技术制造硅MEMS振荡器.

点击数：7516 次录入时间：03-04 11:53:18 整理：http://www.55dianzi.com 电工基础

　　测量结果
　　测量结果显示，采用这种封装的MEMS振荡器在初始频率稳定性、长时间频率稳定性、长时间封装密封性能、耐温特性以及循环温度稳定性方面，与石英振荡器相当。
　　图4给出了一种温补密封MEMS振荡器的初始频率稳定度测试数据。这些数据在50℃温度下起振几分钟后开始收集，结果显示超过14天的振荡漂移小于50ppm。图5是振荡器在25℃温度下工作8,000小时的长时频率稳定度数据，测量到的总漂移2ppm在测量仪器定义的3ppm范围内。
　　图6显示了在进行温度循环试验时两个振荡器的频率稳定度。数据在-50℃到+80℃正温度循环和负温度循环中的30℃情况下获得，数据采集自600个温度循环，以3ppm为规范容许范围则没有频率漂移。
　　图7为补偿后的频率稳定性数据, 温度从-40℃到+85℃范围内扫描两次并返回到-40℃。整个温度范围的总频率误差小于100ppm (200ppm测量噪底，30ppm测量误差)，迟滞大约小于50ppm。
　　这些结果与石英振荡器的性能具有可比性。由于仪器自身的限制，谐振和封装技术的潜能还没有被充分体现出来。测量由高性能的实验室仪器完成，这反映了该技术本身的潜能，而不是产品规范定义的范围。
　　总之，本文展示了一种适用于MEMS振荡器的制造工艺，以及一组可与传统的石英晶体技术相媲美的测量数据。这些测量数据是目前为止得到的最稳定的MEMS振荡器数据。此MEMS振荡器适合商业应用。

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