半导体 二极管的参数
点击数：7418 次 录入时间：03-04 11:52:58 整理：http://www.55dianzi.com 电工基础
半导体二极管
的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM——二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 (3) 反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(mA)级。 (4) 正向压降VF——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V
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