多晶体范性形变过程中，各个晶粒在形状改变的同时也发生转动。经过较大的形变之后，各个晶粒的某一晶体方向逐渐集中到施力轴方向上来，这种状态称为择优取向，得到的组织称为织构。金属的形变织构依照加工方式的差异具有不同的类型，多晶体中有了织构之后，其性能在一定程度上表现出各向异性。
滑移过程的机制最终归结为位错沿滑移面的运动。在此基础上可以想象，范性形变所需的力应该是用于克服位错产生、增殖和运动时所遇到的障碍，而形变速度则决定于单位体积中位错数量的多少，以及位错本身的运动速度。由于位错附近的原子已经从点阵的平衡位置移动出来，使位错前进一个原子间距，所要求原子的移动距离是很小的，而且随着位错的运动，在一些原子势能升高的同时另一些原子势能降低，总能量变化很小，所以晶体以位错运动的机制逐步滑移，比无位错完整晶体作刚性相对滑移所需的力要小得多；在后一种情况下，要经历滑移面上的全部原子同时向高能位置移动的过程。然而，位错毕竟要克服势垒才能前进，这种来源于晶体周期性结构的阻力称为点阵阻力。点阵阻力与原子间结合键的性质密切相关。金属晶体在范性性质上与共价晶体和多数离子晶体具有显著差异的根本原因，在于点阵阻力较小。晶体中的各种缺陷如点缺陷、其他位错、晶粒间界、第二相质点等，对位错的运动也产生阻力。
同时，金属晶体就是依靠各正离子与公有的自由电子间的相互引力而结合起来的，而离子与离子间以及电子与电子间的斥力则与这种引力相平衡，使金属处于稳定的晶体状态。金属原子的这种结合方式称为“金属键”。范性形变引起原子结合键的变化和原子间的距离增大，也对电阻率有影响。
通过上文论述可知范性形变使晶体点阵发生了改变，造成电场不均匀性，导致电子波散射增加。范性形变程度越大，电子散射几率越大，电子散射几率越大，电阻率也越大。同时，范性形使金属原子间距及结合键发生改变，从而导致电阻率有所变化。上一篇：应变传感器稳定性研究
