变阈值设置方法：在igbt从截止状态刚刚进入饱和状态期间（约几个微秒至十几个微秒），保护阈值可以从15v（或者更高）按照一定的曲线降至常规设置值，可以避免在此期间的扰动的伪信号造成误报警;
多阈值设置方法：为了更为符合实际的工况应用情况，降低停机率，可以采用多阈值保护。比如igbt的饱和压降达到第一阈值时，采用降低栅极电压的处理方式;达到更高的第二阈值时，才彻底关断igbt。
4.4 更加贴近驱动对象
目前，针对各种工况下使用的igbt，例如高压变频器、ups、逆变焊机等应用场合，均有不同的大功率igbt驱动保护电路推出。这些驱动器的原理大致相同，但更加贴进各自的驱动对象。
4.5 与智能功率模块（ipm）分别在不同的功率领域并行发展
ipm内部集成了驱动电路，只需提供控制信号即可工作，主要应用中小功率场合;而大功率igbt驱动保护电路一般用于大功率场合，对大功率的igbt进行驱动。随着igbt生产工艺，硅片技术、驱动技术的不断进步和发展，大功率igbt驱动保护电路与ipm均在各自的功率领域并行发展。
5 大功率igbt驱动保护电路发展所受到的的限制
成本价格的限制，是对大功率igbt驱动保护电路发展的最大限制。一个好的大功率igbt驱动保护电路面对要解决的问题较广泛、复杂，可靠性的要求却非常之高。所以成本因素极大地限制了全功能型大功率igbt驱动保护电路的发展，而价格适中的多功能型大功率igbt驱动保护电路是大多数工程师们的首选产品。对于肯在主回路上进行电流直接取样投资的工程师来说，单一功能的驱动电路则是他们的首选。
6 结束语
大功率igbt驱动保护技术的发展完全是受到igbt发展的影响而发展的，随着半导体技术的进一步发展，新的器件乃至新型的igbt的诞生，以及新的主回路拓扑的诞生，会出现更加新颖的驱动保护技术。
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