肖特基二极管与一般二极管的比较

　　肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。
　　
　　肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时，会产生约0.7-1.7伏特的电压降，不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系统的效率。
　　
　　肖特基二极管和一般二极管最大的差异在于反向恢复时间，也就是二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间大约是数百nS，若是高速二极管则会低于一百nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS，特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于一般二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间及反相电流的问题。

半导体器件名称 典型产品型号 平均整流电流IA(A) 正向导通电压 反向恢复时间trr(ns) 反向峰值电压VEM(V) 典型值VF(V) 最大值VFM(V) 肖特基二极管 MBR30100 30 0.4 0.8 <10 100 低V_F肖特基 SV1045 10 0.35 0.8 <10 45 超快恢复二极管 SF1006 10 0.5 1 35 600 快恢复二极管 D92-02 30 0.5 1 400 200 硅高频整流管 PR8003 3 0.5 1.2 400 800 硅高速开关二极管 1N4148 0.15 0.5 1 4 100

　　上表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，除了上面提到的的性能之外肖特基二极管整流电流比效高，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
　　
　　因此总结为：肖特基二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显着的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

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