由于快速开关瞬变(du/dt和反向恢复di/dt)的影响，直流母线振荡可以很容易地在低电流水平下触发，甚至是在没有二极管电流突变的情况下。图7介绍了续流二极管在不同杂散电感条件下的反向恢复特性。
图7：二极管在室温和1/10In条件下的恢复性能(针对不同LS的曲线)。
此时，低杂散电感可产品较高的谐振频率，并且有助于抑制这种振荡。当然，如果大杂散电感使得二极管真的出现电流突变，情况会更糟。出于EMI的考虑，这将限制较高杂散电感的使用。
本文小结
当工作在相同条件下，IGBT针对提高软度需求的设计优化将会付出开关损耗提高的代价。
除开关损耗外，开通和关断速度、电流突变和振荡(EMI)的发生也越来越受到重视。寄生杂散电感对直流母线谐振频率和二极管电流突变起到了重要作用。至少从EMI角度考虑，二极管电流突变将会对通过增加杂散电感或提高IGBT开通速度来降低开通损耗有所限制。
因此，未来有望推出IGBT的不同型号优化产品。另一方面，考虑到直流母线电感是逆变器设计中的一个自由参数，这将有助于进一步优化损耗。
